Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 65А; Idm: 260А; 54,3Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WML060N10HGS
52,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WML060N10HGS
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 81,8нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 6,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 54,3Вт
Струм стока: 65А
Струм стоку в імпульсі: 260А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кристал; 40МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 12пФ; Стаб.част: ±20ppm
Кристал; 40МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 12пФ; Стаб.част: ±20ppm

15,40 грн

Допуск резонаторів:
±20ppm
Ємність:
12пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-20...70°C
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1800мкФ; 35ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1800мкФ; 35ВDC; ±20%

102,64 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
25мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
16мм
Недоступний
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 5; штекерний; промислова; 125В; прямий
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 5; штекерний; промислова; 125В; прямий

1299,42 грн

Alias:
SAIE-M12S-5S0.5U HW
Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина кабелю:
0,5м
Недоступний
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±5%; ERJP06J
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±5%; ERJP06J

0,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Test probe: ICT/FCT; 3A; Ø: 1mm; GKS-075; CuBe; 1.5N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 3A; Ø: 1mm; GKS-075; CuBe; 1.5N; push-in; 20mΩ

209,71 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603

7,60 грн

Alias:
C0603C103K5REC7867
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: PNP; біполярний; 30В; 25мА; 250мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: PNP; біполярний; 30В; 25мА; 250мВт; SOT23,TO236AB

12,04 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23; TO236AB
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
30В
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А

95,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB

140,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

214,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

157,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А

241,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO262
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 25А; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 25А; TO247-3

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT