Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 67А; 125Вт; PG-TO252-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IPD12CN10NGATMA1
97,57 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPD12CN10NGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO252-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 12,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 67А
Технологія: OptiMOS™ 2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 3A; 250V

340,22 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 1N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 1N; push-in; 30mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
3мм
Недоступний
Резистор: thick film; 280кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 280кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; гніздовий; прямий; Дл: 500мм; вилка
Кабель: до датчиків; PIN: 4; гніздовий; прямий; Дл: 500мм; вилка

3217,19 грн

Довжина кабелю:
0,5м
Довжина проводу:
0,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 100В; 3А; SMC; Ufmax: 0,95В; Ifsm: 100А
Діод: випрямний; SMD; 100В; 3А; SMC; Ufmax: 0,95В; Ifsm: 100А

32,31 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 2,7мФ; 10ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 2,7мФ; 10ВDC; ±20%

28,89 грн

Виводи:
радіальні
Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
25мм
Діаметр:
12,5мм
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 4mm; GKS-113; CuBe; 0.6N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 4mm; GKS-113; CuBe; 0.6N; push-in; 30mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
4мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,6А; Idm: 7,7А; 3,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,6А; Idm: 7,7А; 3,1Вт; SOT223

71,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,2нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 0,375А; 1,5Вт; SC73,SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 0,375А; 1,5Вт; SC73,SOT223

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC73; SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 70В; 3А; 2Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 70В; 3А; 2Вт; SOT223

84,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 20А; 37Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 20А; 37Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,9нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

216,04 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 32А; 11Вт; DFN8; 3x3мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 32А; 11Вт; DFN8; 3x3мм

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
60нКл
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; 164Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; 164Вт; D2PAK

314,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
67нКл
Корпус:
D2PAK