1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 67А; Idm: 336А; 61Вт; TO251

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 67А; Idm: 336А; 61Вт; TO251
Немає в наявності
Код товару: DMT10H009LH3
65,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMT10H009LH3
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 20,2нКл
Корпус: TO251
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 13мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 61Вт
Струм стока: 67А
Струм стоку в імпульсі: 336А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 1,4кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 1,4кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thin film; 796Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 796Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: дротяний; 12Ом; THT; 2Вт; ±5%; Ш0,7x25мм; Ø5x12мм; осьові
Резистор: дротяний; 12Ом; THT; 2Вт; ±5%; Ш0,7x25мм; Ø5x12мм; осьові

9,57 грн

Виводи:
осьові
Властивості резисторів:
корпус стійкий до високої температури
Діаметр:
5мм
Довжина:
12мм
Недоступний
Резистор: thin film; 402Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 402Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,01%

61,45 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

1,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CQ; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CQ; 200В; -55÷155°C

5,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Комплект захисних губок; алюміній; 125мм; 2шт.
Комплект захисних губок; алюміній; 125мм; 2шт.

1910,16 грн

Type of clamping accessories:
set of protective jaws
Кількість в наборі/упаковці:
2шт.
Матеріал:
алюміній
Супутні товари:
SA.201251
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

1306,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
269нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC

204,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247AC
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD

236,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD