Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 7,8А; 5,8Вт; PQFN2X2

Немає в наявності
Код товару: IRL100HS121
45,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRL100HS121
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: ролик
Заряд затвора: 3,7нКл
Корпус: PQFN2X2
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 42мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 5,8Вт
Струм стока: 7,8А
Технологія: OptiMOS™ 5
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 22; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 22; THT; 3A; 250V

115,31 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
8,6мм
Недоступний
Резистор: thick film; 16,9Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 16,9Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Connector: PCB to PCB; socket; female; data; PIN: 2; FX30B; vertical
Connector: PCB to PCB; socket; female; data; PIN: 2; FX30B; vertical

248,35 грн

Connector family:
data
Engineering PN:
CL0570-3500-1-00
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 820пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 820пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 15,4кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 15,4кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Резистор: thin film; 15кОм; THT; 1Вт; ±1%; Ø3,7x10мм; осьові; L: 10мм
Резистор: thin film; 15кОм; THT; 1Вт; ±1%; Ø3,7x10мм; осьові; L: 10мм

26,42 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±1%
Резистор: thick film; 3,3МОм; 4Вт; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,3МОм; 4Вт; -55÷155°C

25,98 грн

Зовнішні розміри:
7,1x1,1мм
Опір:
3,3мОм
Потужність:
4Вт
Робоча температура:
-55...155°C
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD