Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 75А; Idm: 360А; 3,2Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: DMT10H009SK3-13
30,73 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: DMT10H009SK3-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 34нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 9,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,2Вт
Струм стока: 75А
Струм стоку в імпульсі: 360А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: -5ВDC; Uвих.2: 5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: -5ВDC; Uвих.2: 5ВDC

911,05 грн

Вихідна напруга:
-5В DC
Вихідна напруга 2:
5В DC
Вихідний струм:
-800мА
Вхідна напруга:
9...36В DC
Тиристор: AC switch; 700В; Ifмакс: 1А; Igt: 10мА; SOT223; SMD; ASD™
Тиристор: AC switch; 700В; Ifмакс: 1А; Igt: 10мА; SOT223; SMD; ASD™

72,23 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
internally triggered
Зворотна напруга макс.:
700В
К-ть перемикачів:
1
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 3,3мкГн; 260мА; R: 1,2Ом; ±5%
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 3,3мкГн; 260мА; R: 1,2Ом; ±5%

5,13 грн

Високосортність:
30
Допуск:
±5%
Індуктивність:
3,3мкГн
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 12ВDC; Uвих: 9ВDC; Uвих.2: -9ВDC; SIP7
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 12ВDC; Uвих: 9ВDC; Uвих.2: -9ВDC; SIP7

534,72 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Вихідна напруга 2:
-9В DC
Вихідний струм:
0,167А
Вхідна напруга:
12В DC
Діод: випрямний Шотткі; D2PAK,TO263AB; SMD; 150В; 10Аx2; туба
Діод: випрямний Шотткі; D2PAK,TO263AB; SMD; 150В; 10Аx2; туба

96,93 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
150В
Кількість в наборі/упаковці:
50шт.
Корпус:
D2PAK; TO263AB
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 1206

2,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Ємність:
1мкФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 100V

236,95 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD