Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 8,6А; Idm: 250А; 1,2Вт

Немає в наявності
Код товару: DMT10H010SPS-13
40,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: DMT10H010SPS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 56,4нКл
Корпус: PowerDI5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 11,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,2Вт
Струм стока: 8,6А
Струм стоку в імпульсі: 250А
Тип транзистора: N-MOSFET
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 2А
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 2А

863,53 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
2А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; протиперевантажувальні OPP
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 4700мкФ; 80ВDC; Ø30x40мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 4700мкФ; 80ВDC; Ø30x40мм

124,18 грн

Висота:
40мм
Діаметр:
30мм
Допуск:
±20%
Ємність:
4,7мФ
Резистор: thick film; 20кОм; 0805; 130мВт; ±5%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 20кОм; 0805; 130мВт; ±5%; AC; -55÷155°C

0,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
2x1,25мм
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 2200мкФ; 50ВDC; Ø16x35,5мм
Конденсатор: електролітичний; THT; 2200мкФ; 50ВDC; Ø16x35,5мм

69,69 грн

Висота:
35,5мм
Діаметр:
16мм
Допуск:
±20%
Ємність:
2,2мФ
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 74; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 74; THT; straight

122,91 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
30,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 10В; X7S; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 10В; X7S; ±10%; SMD; 0603

2,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7S
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD