Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 8А; 8,3Вт; DFN3x3 EP

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: AON7296
11,40 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AON7296
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 3нКл
Корпус: DFN3x3 EP
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 66мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 8,3Вт
Струм стока: 8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 91Ом; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: thin film; 91Ом; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм

9,00 грн

Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Кожух видки; 6мм; світло-сірий; RJ45
Кожух видки; 6мм; світло-сірий; RJ45

14,95 грн

Застосування роз’ємів:
RJ45
Зовнішній діаметр проводу:
6мм
Колір:
світло-сірий
Тип аксесуарів для роз’ємів:
кожух видки
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 60; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 60; THT; 3A; 250V

599,98 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В
Резистор: thick film; 5,1кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В

11,97 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Роз’єм: круглі; PIN: 7; прямий; затискання
Роз’єм: круглі; PIN: 7; прямий; затискання

423,85 грн

Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
7
Просторова орієнтація:
прямий
Тип роз’єму:
круглі
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 105кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 105кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Резистор: thin film; 806Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 806Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

58,29 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь

38,01 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
17нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт

74,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
10,4нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK

184,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD