Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; Idm: 62,4А; 50Вт; DPAK

Немає в наявності
Код товару: FQD19N10TM
57,02 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FQD19N10TM
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: DPAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 50Вт
Струм стока: 9,8А
Струм стоку в імпульсі: 62,4А
Технологія: QFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 75Ом; 3,1x1,55x0,55мм
Резистор: thick film; 75Ом; 3,1x1,55x0,55мм

0,39 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Зовнішні розміри:
3,1x1,55x0,55мм
Опір:
75Ом
Розміри корпусу:
3,1x1,55x0,55мм
Недоступний
IC: мікроконтролер AVR; ATMEGA; TQFP44; 1,8÷5,5ВDC; Cmp: 1; 0,8мм
IC: мікроконтролер AVR; ATMEGA; TQFP44; 1,8÷5,5ВDC; Cmp: 1; 0,8мм

316,14 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
watchdog; резонатор 32кГц для RTC
Інтерфейс:
I2C; JTAG; SPI x3; UART
Кількість входів/виходів:
32
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK