Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 90А; Idm: 617А; 187Вт; Power56

Немає в наявності
Код товару: FDMS86150ET100
350,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMS86150ET100
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 62нКл
Корпус: Power56
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 9,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 187Вт
Струм стока: 90А
Струм стоку в імпульсі: 617А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 36кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±1%
Резистор: thin film; 36кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±1%

0,32 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,27 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,8пФ
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Резистор: thin film; 64,9Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 64,9Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 250В; X7R; ±10%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 250В; X7R; ±10%; THT; 5мм

3,38 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1нФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 768кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 768кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Діод: TVS; 0,6кВт; 6,4÷7В; 65,3А; двоспрямована; SMB; SMBJ
Діод: TVS; 0,6кВт; 6,4÷7В; 65,3А; двоспрямована; SMB; SMBJ

12,04 грн

Зворотна напруга макс.:
5В
Корпус:
SMB
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
6,4...7В
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402

1,78 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268