Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 4,6А; Idm: 18,4А; 3Вт; SOT223

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMT05N12TS
27,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMT05N12TS
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 23нКл
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 120В
Опір в стані провідності: 75мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3Вт
Струм стока: 4,6А
Струм стоку в імпульсі: 18,4А
Тип транзистора: N-MOSFET
Діод: зенера; 0,5Вт; 39В; SMD; MiniMELF,SOD80; одиночний діод
Діод: зенера; 0,5Вт; 39В; SMD; MiniMELF,SOD80; одиночний діод

9,50 грн

Вид упаковки:
ролик 7 дюймів
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
39В
Кількість в наборі/упаковці:
2500шт.
Недоступний
Резистор: thick film; 5,11МОм; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,11МОм; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,04 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
5,11МОм
Недоступний
Провід; тросик; Cu; 16AWG; TFE; Конструкція тросу: 19/29AWG; 600В
Провід; тросик; Cu; 16AWG; TFE; Конструкція тросу: 19/29AWG; 600В

260,39 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; сріблена
Недоступний
Резистор: thick film; 6,8Ом; SMD; 1020; 1,5Вт; WG73; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,8Ом; SMD; 1020; 1,5Вт; WG73; 200В; -55÷155°C

3,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Недоступний
Резистор: metal film; 332кОм; THT; 1Вт; ±1%; 500В; Ø4,2x11,9мм
Резистор: metal film; 332кОм; THT; 1Вт; ±1%; 500В; Ø4,2x11,9мм

3,48 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
Ø4,2x11,9мм
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Монтаж:
THT
Випрямний міст: однофазний; Urmax: 600В; If: 4А; Ifsm: 150А; плоский
Випрямний міст: однофазний; Urmax: 600В; If: 4А; Ifsm: 150А; плоский

102,64 грн

Виводи:
пласкі шпильки
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Струмовий шунт; 20А; Клас: 0,2; 100мВ; на шину DIN; -25÷55°C; B6
Струмовий шунт; 20А; Клас: 0,2; 100мВ; на шину DIN; -25÷55°C; B6

1513,56 грн

Властивості вимірювальних аксесуарів:
на базі діапазону 25A
Клас точності:
0,2
Кріплення:
гвинт
Модель:
polska; англійська
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 500мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 500мВт; SOT23

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
PowerDI®3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO263; 300нс
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO263; 300нс

430,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
TO263