Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 1,15А; Idm: 7А; 300мВт

Немає в наявності
Код товару: DMN1150UFB-7B
3,41 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: DMN1150UFB-7B
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 1,5нКл
Корпус: X1-DFN1006-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±6В
Напруга сток-джерело: 12В
Опір в стані провідності: 0,21Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,3Вт
Струм стока: 1,15А
Струм стоку в імпульсі: 7А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805

1,49 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Кабель; Cablexpert; USB 3.0; USB A вилка,USB C вилка; 1м; чорний
Кабель; Cablexpert; USB 3.0; USB A вилка,USB C вилка; 1м; чорний

209,71 грн

Довжина кабелю:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Колір ізоляції:
чорний
Конструкція кабелю/переходу:
USB A вилка; USB C вилка
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 4В; X6S; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 4В; X6S; ±20%; SMD; 0201

5,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±20%
Ємність:
1мкФ
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 2,2мкФ; 50ВDC; Ø5x11мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 2,2мкФ; 50ВDC; Ø5x11мм

3,99 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
11мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
5мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 24пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 24пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; 0402

0,69 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 4; штекерний; прямий; 300мм; вилка; 4А
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 4; штекерний; прямий; 300мм; вилка; 4А

361,76 грн

Довжина кабелю:
0,3м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "мама"; кутовий; 2м; вилка; 60ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "мама"; кутовий; 2м; вилка; 60ВDC

738,72 грн

Довжина кабелю:
2м
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK