Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 3,6А; Idm: 13,5А; 1,4Вт

Немає в наявності
Код товару: CSD13380F3T
55,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CSD13380F3T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PICOSTAR3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 12В
Опір в стані провідності: 135мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,4Вт
Струм стока: 3,6А
Струм стоку в імпульсі: 13,5А
Технологія: NexFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

2,31 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5пФ
IC: аудіопідсилювач; rail-to-rail output; Ch: 2; SO8; SoundPlus™
IC: аудіопідсилювач; rail-to-rail output; Ch: 2; SO8; SoundPlus™

122,28 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Діапазон напруги живлення:
± 2,25...18В DC; 4,5...36В DC
Кількість в наборі/упаковці:
2500шт.
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0805

0,73 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Ємність:
22нФ
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3