Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 130А; 390Вт; TO220AB; 80нс

Немає в наявності
Код товару: IXFP130N15X3
305,37 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXFP130N15X3
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: ultra junction x-class
Заряд затвора: 80нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 390Вт
Струм стока: 130А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 80нс
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 100мВт; Uвх: 11÷13,3ВDC; Uвих: 9ВDC; SIP7; THT
Перетворювач: DC/DC; 100мВт; Uвх: 11÷13,3ВDC; Uвих: 9ВDC; SIP7; THT

290,17 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Вихідна напруга 2:
-9В DC
Вихідний струм:
5,55мА
Вхідна напруга:
11...13,3В DC
Провід; HELUTHERM® 145 MULTI; 7x4мм2; тросик; Cu; PO; чорний
Провід; HELUTHERM® 145 MULTI; 7x4мм2; тросик; Cu; PO; чорний

1099,85 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 72; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 72; THT; 1.5A

891,41 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
9,2мм
Недоступний
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C

2,90 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 5Ом; THT; TO220; 30Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5Ом; THT; TO220; 30Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C

183,73 грн

Властивості резисторів:
необхідний додатковий радіатор
Допуск:
±5%
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 6,81кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,81кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 0201

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт

763,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
128нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт

662,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
287нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC

217,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт

1384,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
162нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В