1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 18А; 56,8Вт; DPAK

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 18А; 56,8Вт; DPAK
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDD770N15A
91,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDD770N15A
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: DPAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 77мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 56,8Вт
Струм стока: 18А
Тип транзистора: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 100А; 555Вт; HU3PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 100А; 555Вт; HU3PAK

765,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
121нКл
Корпус:
HU3PAK
Недоступний
150Ом; ±1%; 250мВт; -55÷155°C; MiniMELF; 0204; SMD; 50ppm/°C
150Ом; ±1%; 250мВт; -55÷155°C; MiniMELF; 0204; SMD; 50ppm/°C

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус:
MiniMELF
Корпус - дюйм:
0204
Конденсатор: поліпропиленовий; Вив: радіальні
Конденсатор: поліпропиленовий; Вив: радіальні

32,69 грн

Виводи:
радіальні
Тип конденсатора:
поліпропиленовий
Недоступний
Кабель: для сервоприводів; 10м; Стандарт: Allen Bradley
Кабель: для сервоприводів; 10м; Стандарт: Allen Bradley

15297,79 грн

Engineering PN:
2090-CPBM7E7-16AF10
Використання:
мобільні з'єднання
Довжина кабелю:
10м
Модель:
заправлений
Недоступний
Резистор: thin film; 110кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 110кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 44А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 44А; SOT227B; пригвинчуваний

2672,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
245нКл
Корпус:
SOT227B
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 4; ±1,35÷6ВDC,2,7÷12ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 4; ±1,35÷6ВDC,2,7÷12ВDC

816,65 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
80мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
30нА
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь

38,01 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
17нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт

74,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
10,4нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK

184,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD