Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 21А; 57Вт; PG-TDSON-8

Немає в наявності
Код товару: BSC520N15NS3GATMA1
24,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: BSC520N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TDSON-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 52мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 57Вт
Струм стока: 21А
Технологія: OptiMOS™ 3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М8 "папа"; прямий; 1м; вилка; 60ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М8 "папа"; прямий; 1м; вилка; 60ВDC

538,52 грн

Довжина кабелю:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 270мкФ; 63ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 270мкФ; 63ВDC; ±20%

72,86 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
25мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
10мм
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 390нГн; 190мА; R: 4,23Ом; ±5%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 390нГн; 190мА; R: 4,23Ом; ±5%; LQW

3,47 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
0,39мкГн
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 1,1МГц; Ch: 2; ±1,35÷20ВDC,±2,7÷40ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 1,1МГц; Ch: 2; ±1,35÷20ВDC,±2,7÷40ВDC

63,99 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
low power; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
1,75мВ
Вхідний поляризаційний струм:
10пА
Недоступний
Провід: для передачі даних; chainflex® CF240.PUR; 18x0,14мм2
Провід: для передачі даних; chainflex® CF240.PUR; 18x0,14мм2

649,39 грн

Bластивості проводів:
самонесучий
Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 0,22мкФ; 630ВDC; 305ВAC; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 0,22мкФ; 630ВDC; 305ВAC; THT

12,80 грн

Вид конденсатора:
X2
Вид упаковки:
розсипний
Допуск:
±20%
Ємність:
0,22мкФ
Захисний модуль; підставка; 6ВDC,230ВDC; Поляризація: N
Захисний модуль; підставка; 6ВDC,230ВDC; Поляризація: N

173,59 грн

Властивості реле:
обмежує перенапруження в ланцюгах DC
Монтаж:
підставка
Напруга живлення:
6В DC; 230В DC
Поляризація:
N
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 66А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 66А; 33Вт; DFN5x6

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
64нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; Idm: 680мА; 0,36Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; Idm: 680мА; 0,36Вт

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 2Вт; SOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 2Вт; SOT26

41,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,2А; Idm: 20А; 110Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,2А; Idm: 20А; 110Вт

71,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
24нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,2А; 0,9Вт; PowerDI®3333-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,2А; 0,9Вт; PowerDI®3333-8

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
PowerDI®3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5А; 1,4Вт; SC59
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5А; 1,4Вт; SC59

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SC59
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 500мА; Idm: 1,2А; 500мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 500мА; Idm: 1,2А; 500мВт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
0,95нКл