1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 60А; Idm: 240А; 147Вт; TO220-3

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 60А; Idm: 240А; 147Вт; TO220-3
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMK190N15HG4
54,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMK190N15HG4
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 24,8нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 19,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 147Вт
Струм стока: 60А
Струм стоку в імпульсі: 240А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 1,24кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73H; 50В
Резистор: thin film; 1,24кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73H; 50В

3,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 2,21кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; NQ; 50В
Резистор: thick film; 2,21кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; NQ; 50В

0,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В
Резистор: thick film; 2,7Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В

0,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Зонд: для осцилографа; пасивний; 0÷250МГц; 10: 1; 1,2нс; 10÷35пФ
Зонд: для осцилографа; пасивний; 0÷250МГц; 10: 1; 1,2нс; 10÷35пФ

3227,32 грн

Вид щупа:
пасивний
Відповідність стандарту:
CAT II 1000V; EN 61010
Діапазон компенсації:
10...35пФ
Дільник:
10:1
Недоступний
Резистор: thick film; 698кОм; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 698кОм; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

1306,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
269нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC

204,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247AC
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD

236,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD