Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 83А; 214Вт; PG-TO263-3

Немає в наявності
Код товару: IPB108N15N3GATMA1
238,22 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPB108N15N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO263-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 10,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 214Вт
Струм стока: 83А
Технологія: OptiMOS™ 3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вентилятор: DC; 75,7x75,7x30мм; blower; 12ВDC; 11,22м3/г; 28,2дБА
Вентилятор: DC; 75,7x75,7x30мм; blower; 12ВDC; 11,22м3/г; 28,2дБА

0,00 грн

Виводи:
проводи x4
Вид вентилятора:
blower
Вид підшипника:
ковзання
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; SMT; 3A; 100V

59,55 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 32МГц; 2,3÷5,5ВDC; THT; DIP14; PIC16
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 32МГц; 2,3÷5,5ВDC; THT; DIP14; PIC16

83,63 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CCP x4; CLC x4; CWG; HLT; NCO; PMD; PoR; PPS; XLP; ZCD
Інтерфейс:
EUSART; LIN; MSSP (SPI / I2C); PMBus; PPS; PWM; RS232; RS485; SMBus; UART
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 28,5÷31,5В; 14,7А; двоспрямована; ±5%; SMB; P6SMB
Діод: TVS; 0,6кВт; 28,5÷31,5В; 14,7А; двоспрямована; ±5%; SMB; P6SMB

27,88 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
25,6В
Корпус:
SMB
Недоступний
Резистор: power metal; 1,5кОм; THT; 1Вт; ±5%; 350В; Ø2,5x8мм; осьові
Резистор: power metal; 1,5кОм; THT; 1Вт; ±5%; 350В; Ø2,5x8мм; осьові

1,89 грн

Виводи:
осьові
Властивості резисторів:
висока потужність при малих розмірах
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
8мм
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

12,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 430кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 430кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,6А; Idm: 6,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,6А; Idm: 6,4А; 1,25Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
1,5нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; 3,9Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; 3,9Вт; TO252

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 500мА; Idm: 1А; 300мВт; SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 500мА; Idm: 1А; 300мВт; SOT523

6,97 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,4нКл
Корпус:
SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 130А; Idm: 520А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 130А; Idm: 520А; 100Вт

81,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
41нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 8А; 57Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 8А; 57Вт; TO263

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 60А; 780Вт; TO268
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 60А; 780Вт; TO268

579,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
108нКл
Корпус:
TO268
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,4А; 150мВт; SC70; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,4А; 150мВт; SC70; ESD

3,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,39нКл
Корпус:
SC70