Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; 400Вт; TO247-3; 150нс

Немає в наявності
Код товару: IXTH88N15
357,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTH88N15
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Заряд затвора: 170нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 22мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 400Вт
Струм стока: 88А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 150нс
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 30кОм; THT; 500мВт; ±5%; осьові; L: 8,5мм
Резистор: вуглецевий; 30кОм; THT; 500мВт; ±5%; осьові; L: 8,5мм

1,50 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3мм
Довжина:
8,5мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: 2-провідний NC; 0÷1,5мм; 10÷30ВDC; M8
Датчик: індуктивний; OUT: 2-провідний NC; 0÷1,5мм; 10÷30ВDC; M8

3472,51 грн

Дальність:
0...1,5мм
Довжина відводів:
2м
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
2-провідний NC
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 100Вт; Iвих: 20А; DIP8; THT; ККД: 92%; OUT: 1
Перетворювач: DC/DC; 100Вт; Iвих: 20А; DIP8; THT; ККД: 92%; OUT: 1

Використання:
IT
Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
20А
Відповідність стандарту:
CE
Недоступний
Резистор: thin film; 320кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 320кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 6; штекерний; промислова; SR30; прямий
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 6; штекерний; промислова; SR30; прямий

537,25 грн

Connector family:
промислова
Engineering PN:
CL0103-0319-0-32
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Недоступний
Резистор: thin film; 36Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 36Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

0,90 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: metal film; 63,4кОм; THT; 250мВт; ±1%; MF; 250В; осьові
Резистор: metal film; 63,4кОм; THT; 250мВт; ±1%; MF; 250В; осьові

0,39 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±1%
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1828,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3