1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 0,75А; 40Вт; TO220AB; 710нс

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 0,75А; 40Вт; TO220AB; 710нс
Немає в наявності
Код товару: IXTP05N100
225,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTP05N100
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 17Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 40Вт
Струм стока: 0,75А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 710нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,60 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,7пФ
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 9; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 9; THT; straight

14,19 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
24,9мм
Електричний монтаж:
THT
Конденсатор: керамічний; 22мкФ; 25ВDC; X7R; Властивості: FLEXITERM
Конденсатор: керамічний; 22мкФ; 25ВDC; X7R; Властивості: FLEXITERM

146,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Властивості конденсаторів:
FLEXITERM
Діелектрик:
X7R
Ємність:
22мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 107кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 107кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,70 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Стрічка FFC; 60В; Р.стрічки: 0,5мм; Жили: 8; L: 51мм; -40÷105°C
Стрічка FFC; 60В; Р.стрічки: 0,5мм; Жили: 8; L: 51мм; -40÷105°C

243,92 грн

Властивості з’єднувального кабелю:
контакти з одного боку
Довжина:
51мм
Номінальна напруга:
60В
Растр стрічки:
0,5мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 750пФ; 100В; X8G; ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 750пФ; 100В; X8G; ±2%; SMD; 0603

0,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thick film; 6,8Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,8Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CS; -55÷155°C

0,83 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт

648,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 156Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 156Вт

273,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
29,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 214А; Idm: 856А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 214А; Idm: 856А; 333Вт

301,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 19А; Idm: 53А; 142Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 19А; Idm: 53А; 142Вт; TO220-3

254,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 133А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 133А; 200Вт; TO220AB

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; TO220AB

89,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44,7нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 231А; 465Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 231А; 465Вт

853,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
0,22мкКл