Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 0,8А; 42Вт; TO220AB; 750нс

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTP08N100P
131,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTP08N100P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 20Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 42Вт
Струм стока: 0,8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 750нс
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C

5,70 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 698Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 698Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В

2,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Толст-ка; Розмір: XL; синьо-чорний; 210г/м2
Толст-ка; Розмір: XL; синьо-чорний; 210г/м2

1821,47 грн

Вага:
210г/м2
Відповідність стандарту:
CE
Колір:
синьо-чорний
Матеріал:
товстовка поліестер
Резистор: thick film; 1,2кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; RC; 75В
Резистор: thick film; 1,2кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; RC; 75В

1,10 грн

Вид упаковки:
ролик 13 дюймів
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 162Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CQ; 150В
Резистор: thick film; 162Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CQ; 150В

0,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thick film; 1,1Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 1,1Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HP; 200В

2,59 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thick film; 84,5кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 84,5кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

1306,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
269нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC

204,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247AC
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD

236,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD