Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 12А; Idm: 48А; 298Вт; D3PAK

Немає в наявності
Код товару: APT10090SLLG
963,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT10090SLLG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 71нКл
Корпус: D3PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 0,95Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 298Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 48А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 152мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 152мА

722,25 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідна напруга 2:
-3,3В DC
Вихідний струм:
152мА
Вхідна напруга:
9...18В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 3,32кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 3,32кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.4mm; GKS-912; CuBe; 0.8N; plug-in
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.4mm; GKS-912; CuBe; 0.8N; plug-in

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5мм
Діаметр наконечника:
1,4мм
Довжина:
36мм
Провід; ÖLFLEX® WIRE MS 2.1; тросик; Cu; 0,5мм2; ПВХ; червоний
Провід; ÖLFLEX® WIRE MS 2.1; тросик; Cu; 0,5мм2; ПВХ; червоний

26,61 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Роз’єм: круглі; для проводу; 16AWG; Модель: неекранований
Роз’єм: круглі; для проводу; 16AWG; Модель: неекранований

7714,15 грн

Механічний монтаж:
для проводу
Модель роз’єму:
неекранований
Робоча температура:
-55...125°C
Розмір проводу:
16AWG
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.5mm; GKS-912; CuBe; 3N; plug-in; L: 32mm
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.5mm; GKS-912; CuBe; 3N; plug-in; L: 32mm

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5мм
Діаметр наконечника:
2,5мм
Довжина:
32мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 47мкФ; 10ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; 47мкФ; 10ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1210

0,00 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
47мкФ
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
30нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
55нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S

68,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN2020-8S