Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 14А; Idm: 56А; 403Вт; D3PAK

Немає в наявності
Код товару: APT10078SLLG
1283,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT10078SLLG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 95нКл
Корпус: D3PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 780мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 403Вт
Струм стока: 14А
Струм стоку в імпульсі: 56А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 402кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 402кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Модуль автоматики: інвертор; 0,18кВт; 3x230ВAC; 3x200÷240ВAC
Модуль автоматики: інвертор; 0,18кВт; 3x230ВAC; 3x200÷240ВAC

15420,70 грн

Вихідна напруга інвертора:
3 x 230В AC
Вихід напруги:
0...10В
Вихідна частота:
0,1...599Гц
Властивості входу 1:
задавання швидкості обертання сигналом 0...10В, 4...20мА, 0...20мА
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 2; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; CTR@If: 100%@5mA
Оптрон; SMD; Ch: 2; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; CTR@If: 100%@5mA

34,85 грн

CTR@If:
100%@5mA
Вид виходу:
транзисторний
Зворотна напруга макс.:
3В
Кількість каналів:
2
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 2700мкФ; 25ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 2700мкФ; 25ВDC; ±20%

96,93 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
35мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
12,5мм
Енкодер: інкрементальний; THT; Тривалість мех: 30000цикли; L: 20мм
Енкодер: інкрементальний; THT; Тривалість мех: 30000цикли; L: 20мм

61,45 грн

Діаметр осі:
6мм
Довжина осі:
20мм
Монтаж:
THT
Робоча температура:
-30...70°C
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; 25Вт; IPAK,TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; 25Вт; IPAK,TO251

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68пФ; 200В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68пФ; 200В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

1,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
68пФ
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD