1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 28А; Idm: 112А; 690Вт; TO264

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 28А; Idm: 112А; 690Вт; TO264
Немає в наявності
Код товару: APT10035LFLLG
1762,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT10035LFLLG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 186нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 370мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 690Вт
Струм стока: 28А
Струм стоку в імпульсі: 112А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кабель; Jack 6,3мм вилка,XLR "папа" 3pin,XLR "мама" 3pin; 4м
Кабель; Jack 6,3мм вилка,XLR "папа" 3pin,XLR "мама" 3pin; 4м

1085,28 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з мідного дроту
Вид жили:
Cu
Довжина кабелю:
4м
Зовнішні розміри проводу:
5x10,5мм
Недоступний
Резистор: thin film; 5,6Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 5,6Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

0,90 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 6,81Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 6,81Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В

0,67 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; ±20%; M; 17,6x16,9x6,7мм
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; ±20%; M; 17,6x16,9x6,7мм

332,62 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
6,8мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
17,6x16,9x6,7мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 50В; X6T; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 50В; X6T; ±10%; SMD; 0402

1,27 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X6T
Допуск:
±10%
Недоступний
Роз’єм: провід-плата; вилка; гніздовий; Micro-Fit TPA; PIN: 16
Роз’єм: провід-плата; вилка; гніздовий; Micro-Fit TPA; PIN: 16

43,08 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Кількість пін:
16
Клас горючості:
UL94V-0
Механічний монтаж:
для проводу
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 2010; 0,75Вт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 2010; 0,75Вт; ±1%; CQ; 200В

3,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1818,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3