1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFL38N100P
681,07 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFL38N100P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 0,35мкКл
Корпус: ISOPLUS i5-pac™
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 0,23Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 520Вт
Струм стока: 29А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Амперметр; цифровий,монтажний; -20÷20мА; ±(0,2%+1digit); LED
Амперметр; цифровий,монтажний; -20÷20мА; ±(0,2%+1digit); LED

5340,22 грн

Вид вжитого дисплея:
LED
Вимір:
струму DC
Висота знаку:
14мм
Вихід:
вихід типу OC x2
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402

4,43 грн

Alias:
C0402C473K3RAC7867
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; Trench™; польовий; 100В; 160А; 430Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; Trench™; польовий; 100В; 160А; 430Вт; TO220AB

295,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
132нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 76А; 350Вт; TO247-3; 69нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 76А; 350Вт; TO247-3; 69нс

295,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
97нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 110А; 600Вт; TO247-3; 230нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 110А; 600Вт; TO247-3; 230нс

960,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
linear power mosfet
Заряд затвора:
260нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 150Вт; TO220AB; 34нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 150Вт; TO220AB; 34нс

194,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 270А; 375Вт; TO220AB; 48нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 270А; 375Вт; TO220AB; 48нс

185,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
182нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO247-3

430,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 102А; 700Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 102А; 700Вт; TO264

857,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
224нКл
Корпус:
TO264