Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; 125Вт; TO220AB

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IRFBG30PBF
174,86 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRFBG30PBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 80нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 178Ом; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 178Ом; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм; осьові

26,61 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "мама"; прямий; 15м; вилка; 60ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "мама"; прямий; 15м; вилка; 60ВDC

0,00 грн

Довжина кабелю:
15м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Провід; UNITRONIC® LiYY (TP); LiYY; 2x2x0,25мм2; неекранований
Провід; UNITRONIC® LiYY (TP); LiYY; 2x2x0,25мм2; неекранований

48,15 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 30пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 30пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

0,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 357Вт; TO220AB; 160нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 357Вт; TO220AB; 160нс

522,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
linear power mosfet
Заряд затвора:
103нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 150А; 1300Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 150А; 1300Вт; TO264

952,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
197нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 16А; 300Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 16А; 300Вт; TO220AB

181,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 0,8А; 60Вт; TO220AB; 11нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 0,8А; 60Вт; TO220AB; 11нс

171,06 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
312нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 26А; 400Вт; TO3P; 300нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 26А; 400Вт; TO3P; 300нс

337,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Заряд затвора:
65нКл
Транзистор: N-MOSFET; HiPerDynFRED; польовий; 600В; 32А
Транзистор: N-MOSFET; HiPerDynFRED; польовий; 600В; 32А

494,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
super junction coolmos
Заряд затвора:
150нКл
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 600В; 34А; Idm: 68А; 540Вт
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 600В; 34А; Idm: 68А; 540Вт

390,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class