Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 38А; Idm: 152А; 893Вт; TO264MAX

Немає в наявності
Код товару: APT10026L2LLG
3409,79 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT10026L2LLG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 267нКл
Корпус: TO264MAX
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 0,26Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 893Вт
Струм стока: 38А
Струм стоку в імпульсі: 152А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип транзистора: N-MOSFET
Викрутка: стандартний; Phillips,плоскa; PH2,SL 6; Довж.леза: 16мм
Викрутка: стандартний; Phillips,плоскa; PH2,SL 6; Довж.леза: 16мм

176,76 грн

Довжина леза:
16мм
Загальна довжина:
42мм
Розмір грота:
PH2; SL 6
Тип викрутка:
стандартний
Недоступний
Резистор: thick film; 120кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 120кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В

0,19 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 62Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; CQ; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 62Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; CQ; 200В; -55÷155°C

1,62 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Кримпер: присвячений; 26AWG÷20AWG; контакти
Кримпер: присвячений; 26AWG÷20AWG; контакти

22757,25 грн

Використання:
контакти
Розмір проводу:
26AWG...20AWG
Супутні товари:
50598-8100; 50600-8100
Тип інструмента:
для затиску
Недоступний
Резистор: thick film; 180кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 180кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,20 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Сигналізатор: світловий; безперервне світло; червоний; 48ВAC
Сигналізатор: світловий; безперервне світло; червоний; 48ВAC

5970,61 грн

Зовнішні розміри:
85x85x72мм
Клас герметичності:
IP67
Колір:
червоний
Напруга живлення:
48В AC
Недоступний
Резистор: thin film; 169Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 169Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,05%

33,13 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1828,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3