Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 3А; 125Вт; TO220AB; 17нс

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTP3N100D2
311,71 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTP3N100D2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збіднений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 1,02мкКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 5,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 3А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 17нс
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 2А; SIP3
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 2А; SIP3

230,61 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
2А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 6кВ; Uce: 90В; DIP6
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 6кВ; Uce: 90В; DIP6

31,04 грн

CTR@If:
63-125%@10mA
Вид виходу:
транзисторний
Кількість каналів:
1
Корпус:
DIP6
Недоступний
Резистор: thick film; 7,68кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D
Резистор: thick film; 7,68кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D

2,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
IC: цифровий; NAND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; 3÷18ВDC; -55÷125°C
IC: цифровий; NAND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; 3÷18ВDC; -55÷125°C

22,17 грн

Вид затвору:
NAND
Вид упаковки:
туба
Кількість каналів:
quad; 4
Корпус:
SO14
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 2,5А
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 2,5А

2351,75 грн

Використання:
промисловість
Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
2,5А
Відповідність стандарту:
CE
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 200В; X7R; ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 200В; X7R; ±5%; SMD; 0805

2,37 грн

Alias:
KGM21NR72D471JT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Перетворювач: DC/AC; 230ВAC; Властивості: чиста синусоїда; MPPT
Перетворювач: DC/AC; 230ВAC; Властивості: чиста синусоїда; MPPT

20385,23 грн

Використання:
фотоелектрика
Вихідна напруга:
230В AC
Властивості блоків перетворювачів:
чиста синусоїда
Захист:
перегрівання OTP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 33А; 36Вт
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 33А; 36Вт

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; TO247

235,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
180нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3А; Idm: 12А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3А; Idm: 12А; 20Вт; TO220FP

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,4А; Idm: 25,6А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,4А; Idm: 25,6А; 125Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

199,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1,2кВ; 7,6А; Idm: 48А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1,2кВ; 7,6А; Idm: 48А

433,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 112А; Idm: 480А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 112А; Idm: 480А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220-3