1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 2,5кВ; 3А; 417Вт; TO264; 370нс

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 2,5кВ; 3А; 417Вт; TO264; 370нс
Немає в наявності
Код товару: IXTK3N250L
3854,54 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTK3N250L
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: linear power mosfet
Заряд затвора: 230нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 2,5кВ
Опір в стані провідності: 10Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 417Вт
Струм стока: 3А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 370нс
Недоступний
Резистор: thin film; 470Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 470Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%

65,26 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Модуль автоматики: комунікаційний; CJ1W; на шину DIN; CJ
Модуль автоматики: комунікаційний; CJ1W; на шину DIN; CJ

0,00 грн

Застосування - серія/виробник:
CJ
Кількість портів:
2
Комунікаційний протокол:
Modbus master; Modbus slave; Serial RS422
Монтаж:
на шину DIN
Недоступний
Резистор: thick film; 510Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; ERJU14F
Резистор: thick film; 510Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; ERJU14F

3,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 32нГн; 2200мА; R: 0,03Ом; ±5%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 32нГн; 2200мА; R: 0,03Ом; ±5%; LQW

9,02 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
32нГн
Корпус - дюйм:
0603
Діод: перемикальний; SMD; 100В; 0,2А; 4нс; SOD323; Ufmax: 1,25В
Діод: перемикальний; SMD; 100В; 0,2А; 4нс; SOD323; Ufmax: 1,25В

5,70 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
швидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6нФ; 50В; X8L; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6нФ; 50В; X8L; ±20%; SMD; 0603

0,46 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8L
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thin film; 1,49кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 1,49кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

10,20 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

1306,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
269нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC

204,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247AC
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD

236,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD