1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,18А; Idm: 2А; 0,7Вт; TO92

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,18А; Idm: 2А; 0,7Вт; TO92
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: ZVNL120A
66,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: ZVNL120A
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: розсипний
Корпус: TO92
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 10Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,7Вт
Струм стока: 0,18А
Струм стоку в імпульсі: 2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 2A; Ø: 0.51mm; GKS-051; CuBe; 1.3N; push-in
Test probe: ICT/FCT; 2A; Ø: 0.51mm; GKS-051; CuBe; 1.3N; push-in

741,26 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
3,7мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
0,51мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; AS; 200В
Резистор: thick film; 5,1кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; AS; 200В

2,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 200В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 200В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

2,83 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 140кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 140кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
140кОм
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 25,7В; 16А; двоспрямована; DO15,DO204AC; 600Вт; P6KE
Діод: TVS; 25,7В; 16А; двоспрямована; DO15,DO204AC; 600Вт; P6KE

7,67 грн

Вид упаковки:
ролик 13 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
23,1В
Корпус:
DO15; DO204AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 19А; Idm: 53А; 142Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 19А; Idm: 53А; 142Вт; TO220-3

254,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 133А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 133А; 200Вт; TO220AB

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; TO220AB

89,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44,7нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 231А; 465Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 231А; 465Вт

853,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
0,22мкКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 300Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 300Вт; TO247AC

337,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,19мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; 180Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; 180Вт; TO247AC

281,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,9А; 40Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,9А; 40Вт; TO220FP

168,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
67нКл
Корпус:
TO220FP