1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт; TO220AB

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт; TO220AB
Немає в наявності
Код товару: IRL640PBF
141,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRL640PBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 66нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 0,27Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 11А
Струм стоку в імпульсі: 68А
Тип транзистора: N-MOSFET
IC: джерело еталонної напруги; 5В; ±0,2%; SO8; туба; 30мА
IC: джерело еталонної напруги; 5В; ±0,2%; SO8; туба; 30мА

257,22 грн

Вид упаковки:
туба
Допуск:
±0,2%
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 54,9кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 54,9кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 510Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; PS; 200В
Резистор: thick film; 510Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; PS; 200В

0,86 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 600нГн; ±20%; V; 13,5x12,5x3,3мм
Реактор: дротяний; SMD; 600нГн; ±20%; V; 13,5x12,5x3,3мм

29,33 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,6мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
13,5x12,5x3,3мм
Недоступний
Резистор: thick film; 18,7кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D
Резистор: thick film; 18,7кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D

2,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Гайка; M63; поліамід; 75мм; чорний; Різьбл: метрична; -20÷100°C
Гайка; M63; поліамід; 75мм; чорний; Різьбл: метрична; -20÷100°C

183,73 грн

Вид різьблення:
метрична
Відповідність стандарту:
EN 45545-2
Колір корпусу:
чорний
Матеріал корпусу:
поліамід
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

0,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

1306,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
269нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC

204,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247AC
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 27А; 56Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 27А; 56Вт; TO220AB

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
16,7нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; TO220-3; ESD

130,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD