1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 125А; Idm: 500А; 347,2Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 125А; Idm: 500А; 347,2Вт
Немає в наявності
Код товару: WMK110N20HG2
281,93 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMK110N20HG2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 73,8нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 11мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 347,2Вт
Струм стока: 125А
Струм стоку в імпульсі: 500А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5%; SMD

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±0,5%
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 16кБSRAM,128кБFLASH; QFN32; 1,71÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер ARM; 16кБSRAM,128кБFLASH; QFN32; 1,71÷3,6ВDC

233,15 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Інтерфейс:
I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; UART; USART; USB; USB OTG
Кількість входів/виходів:
23
Корпус:
QFN32
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

1,64 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
22пФ
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.8mm; GKS-113; CuBe; 1N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.8mm; GKS-113; CuBe; 1N; push-in; 30mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,8мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 450В; X7T; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 450В; X7T; ±10%; SMD; 0805

3,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 6,2Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,2Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C

3,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 33мкФ; 100ВDC; Ø8x16мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 33мкФ; 100ВDC; Ø8x16мм

0,00 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
16мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 19А; Idm: 53А; 142Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 19А; Idm: 53А; 142Вт; TO220-3

254,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 133А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 133А; 200Вт; TO220AB

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; TO220AB

89,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44,7нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 231А; 465Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 231А; 465Вт

853,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
0,22мкКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 300Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 300Вт; TO247AC

337,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,19мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; 180Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; 180Вт; TO247AC

281,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,9А; 40Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,9А; 40Вт; TO220FP

168,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
67нКл
Корпус:
TO220FP