Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 13,3А; Idm: 84А; 140Вт; D2PAK

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FQB19N20LTM
131,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FQB19N20LTM
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 35нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 0,15Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 140Вт
Струм стока: 13,3А
Струм стоку в імпульсі: 84А
Технологія: QFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; неекранований; вилка; PUR; ПВХ
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; неекранований; вилка; PUR; ПВХ

511,91 грн

Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

3,90 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 3,48Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 3,48Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

20,27 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 400А; Iвих: 1А; Øвнутр: 36мм; 50÷60Гц
Трансформатор: струмовий; Iвх: 400А; Iвих: 1А; Øвнутр: 36мм; 50÷60Гц

2678,03 грн

Вихідний струм:
1А
Відповідність стандарту:
BS 3839; EN 60044-1; EN 61869-1
Вхідний струм:
400А
Діаметр внутрішній:
36мм
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 0÷5м; PNP; DARK-ON,LIGHT-ON
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 0÷5м; PNP; DARK-ON,LIGHT-ON

6179,05 грн

Властивості датчиків:
Рефлектор замовляється окремо.
Дальність:
0...5м
Зовнішні розміри:
11x20x41,6мм
Кількість пін:
3
Резистор: thick film; 2,7кОм; 0402; 63мВт; ±5%; AF; 1x0,5мм
Резистор: thick film; 2,7кОм; 0402; 63мВт; ±5%; AF; 1x0,5мм

0,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Опір:
2,7кОм
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%; -55÷155°C

14,57 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD