Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; Idm: 72А; 95Вт; TO220

Немає в наявності
Код товару: BXP18N20P
37,38 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BXP18N20P
Виробник: BRIDGELUX
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 23нКл
Корпус: TO220
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 0,18Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 95Вт
Струм стока: 18А
Струм стоку в імпульсі: 72А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 100В; X8R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 100В; X8R; ±20%; SMD; 0603

2,64 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 1210; 250мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 1210; 250мВт; ±1%; CQ; 200В

0,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thick film; 118кОм; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 118кОм; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

1,28 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
Резистор: thick film; 510Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 510Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

3,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Діод: випрямний; SMD; 200В; 2А; 35нс; SMA; Ufmax: 0,95В; Ifsm: 60А
Діод: випрямний; SMD; 200В; 2А; 35нс; SMA; Ufmax: 0,95В; Ifsm: 60А

14,57 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
супер швидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
SMA
Недоступний
Резистор: thin film; 147Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 147Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%

24,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5пФ; 100В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5пФ; 100В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 01005

1,02 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
1,5пФ
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А

95,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB

140,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

214,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

157,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А

241,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO262
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 25А; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 25А; TO247-3

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT