Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 230А; 1670Вт; TO264

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFK230N20T
1141,66 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFK230N20T
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet
Заряд затвора: 358нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 7,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,67кВт
Струм стока: 230А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 2,5мкФ; 1,2кВDC; 630ВAC; THT; C4AS
Конденсатор: поліпропиленовий; 2,5мкФ; 1,2кВDC; 630ВAC; THT; C4AS

893,94 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
2,5мкФ
Застосування конденсаторів:
фільтруючі
Імпульсна міцність:
598В/мкс
Connector: wire-board; socket; female; data; CT; Inom: 4A; 125V; 20mΩ
Connector: wire-board; socket; female; data; CT; Inom: 4A; 125V; 20mΩ

1,77 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Колір корпусу:
срібний
Резистор: thin film; 430Ом; SMD; 0805; 130мВт; ±1%; RT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 430Ом; SMD; 0805; 130мВт; ±1%; RT; -55÷155°C

0,59 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1206

3,14 грн

Alias:
KAF31NR72A104KL
Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
FLEXITERM; гнучкі закінчення
Діаметр роліка макс.:
330мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1000мкФ; 10ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1000мкФ; 10ВDC; ±20%

31,68 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Властивості конденсаторів:
висока надійність; компактні розміри корпусу
Діаметр:
8мм
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 256кБEEPROM; SPI; 32Кx8бит; DFN8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; 256кБEEPROM; SPI; 32Кx8бит; DFN8; послідовний

93,77 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
DFN8
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

1306,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
269нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC

204,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247AC
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD

236,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD