Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 39,3А; 260Вт; TO220-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDP2614
287,63 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDP2614
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 99нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 27мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 260Вт
Струм стока: 39,3А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 8; 5м; вилка; 50ВDC; 50ВAC; 6А; PUR
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 8; 5м; вилка; 50ВDC; 50ВAC; 6А; PUR

5184,37 грн

Довжина кабелю:
5м
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

0,85 грн

Alias:
KGM21BCG2A220JM
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 27; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 27; THT; straight

65,26 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
37,8мм
Електричний монтаж:
THT
Резистор: thick film; 2,49кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,49кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,6x0,8мм
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 2mm; GKS-112; CuBe; 0.8N; screw-in; 20mΩ
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 2mm; GKS-112; CuBe; 0.8N; screw-in; 20mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2мм
Недоступний
Резистор: thin film; 60,4Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 60,4Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

1,82 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Датчик: температури; 100Ом; 3850ppm/°C; Темп: -100÷250°C
Датчик: температури; 100Ом; 3850ppm/°C; Темп: -100÷250°C

0,00 грн

Діапазон вимірювання температури:
-100...250°C
Опір:
100Ом
Робоча температура:
-100...250°C
Температурний коефіцієнт:
3850ppm/°C
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1828,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3