Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 3А; Idm: 20А; 2,5Вт; SO8

Немає в наявності
Код товару: FDS2670
154,59 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDS2670
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 43нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 275мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,5Вт
Струм стока: 3А
Струм стоку в імпульсі: 20А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: танталовий; low ESR; 47мкФ; 20ВDC; SMD; E; 2917; ±10%
Конденсатор: танталовий; low ESR; 47мкФ; 20ВDC; SMD; E; 2917; ±10%

50,68 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Допуск:
±10%
Ємність:
47мкФ
Корпус:
E
Недоступний
Кінцевий датчик; NO + NC; 5А; макс.250ВAC; макс.250ВDC; IP67
Кінцевий датчик; NO + NC; 5А; макс.250ВAC; макс.250ВDC; IP67

7646,36 грн

Властивості перемикачів:
контакти миттєвої дії
Кількість монтажних отворів:
2
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
NO + NC
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 8; штекерний; промислова; X-Lok; прямий
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 8; штекерний; промислова; X-Lok; прямий

497,34 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
8
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,12 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,12А; Idm: 0,765А
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,12А; Idm: 0,765А

2,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,9нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK

76,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK

240,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 4А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 4А; 135Вт; DPAK

103,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,4нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; PG-HDSOP-16; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; PG-HDSOP-16; автомобільна галузь

729,22 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
PG-HDSOP-16
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200мА; Idm: 0,8А; 360мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200мА; Idm: 0,8А; 360мВт

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD