Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 60А; 500Вт; TO220AB; 118нс

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTP60N20T
379,50 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTP60N20T
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet
Заряд затвора: 73нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 40мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 500Вт
Струм стока: 60А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 118нс
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO + NC; 0÷4мм; 10÷30ВDC; M12; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO + NC; 0÷4мм; 10÷30ВDC; M12; IP67

2833,89 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...4мм
Додаткові функції:
IO-Link (COM2)
Загальна довжина:
70мм
Недоступний
Резистор: thick film; 402Ом; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 402Ом; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,08 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
402Ом
Перехідник різьблення для обтисків; PG11; PG21; латунь; нікель
Перехідник різьблення для обтисків; PG11; PG21; латунь; нікель

274,33 грн

Відповідність стандарту:
II 2G Ex eb IIC Gb / II 1D Ex ta IIIC Da
Внутрішня різьба:
PG11
Зовнішня різьба:
PG21
Клас герметичності:
IP68
Недоступний
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±5%; ERJUP3J; 150В
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±5%; ERJUP3J; 150В

1,17 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0603
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 32А; Полюси: 3+N
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 32А; Полюси: 3+N

1004,82 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Властивості вимикачів:
оптичний індикатор спрацьовування
Кількість полюсів:
3+N
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 3,3В; Uвих: 12ВDC; Iвих: 84мА; SIP7
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 3,3В; Uвих: 12ВDC; Iвих: 84мА; SIP7

83,00 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
84мА
Вхідна напруга:
3,3В
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Резистор: thin film; 9,53кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; TFR
Резистор: thin film; 9,53кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; TFR

33,13 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт

763,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
128нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт

662,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
287нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC

217,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт

1384,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
162нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В