Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 86А; 550Вт; TO3P; 140нс

Немає в наявності
Код товару: IXTQ86N20T
300,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTQ86N20T
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet
Заряд затвора: 90нКл
Корпус: TO3P
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 33мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 550Вт
Струм стока: 86А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 140нс
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 3,3мкГн; ±20%; V; 7,3x6,6x2,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 3,3мкГн; ±20%; V; 7,3x6,6x2,8мм

10,58 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
3,3мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
7,3x6,6x2,8мм
Модуль: лазерний; 3мВт; червоний; пункт; 645÷660нм; 2,5÷3,3ВDC
Модуль: лазерний; 3мВт; червоний; пункт; 645÷660нм; 2,5÷3,3ВDC

787,51 грн

Важлива інформація:
Увага! Лазерне випромінювання! Дотримуйтесь правил безпеки. Не дивитися прямо в джерело лазерного світла.
Використання:
бар'єри; візуальні ефекти; показники; системи сигналізації
Довжина хвилі λd:
645...660нм
Зовнішні розміри:
Ø8x12,5мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

0,73 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 9,31кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 9,31кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 150В; 1,5А; PUR; IP67; автоматика
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 150В; 1,5А; PUR; IP67; автоматика

3418,02 грн

Довжина проводу:
4м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Резистор: thick film; 3кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,09 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 61,9Ом; 0603; 100мВт; ±1%; RC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 61,9Ом; 0603; 100мВт; ±1%; RC; -55÷155°C

0,00 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
61,9Ом
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO251

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 24А; Idm: 96А; 34Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 24А; Idm: 96А; 34Вт; TO220FP

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
41,5нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP

176,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А

236,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO220-3