Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,238А; 0,3Вт; SC75; ESD

Немає в наявності
Код товару: NTA4001NT1G
12,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTA4001NT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SC75
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 3,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,3Вт
Струм стока: 0,238А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD

1,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 4; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 80В; DIP8
Оптрон; THT; Ch: 4; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 80В; DIP8

0,00 грн

CTR@If:
80-600%@5mA
Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
туба
Кількість каналів:
4
Недоступний
Дисплей: TFT; 10,1"; 1920x1200; Підсв: LED; Вим: 228x149x8,6мм
Дисплей: TFT; 10,1"; 1920x1200; Підсв: LED; Вим: 228x149x8,6мм

5990,88 грн

Cенсорна панель:
немає
Вид дисплея:
графічний
Діагональ екрану:
10,1"
Інтерфейс:
eDP
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: 2-провідний NO; 0÷8мм; 10÷30ВDC; M30
Датчик: індуктивний; OUT: 2-провідний NO; 0÷8мм; 10÷30ВDC; M30

5294,61 грн

Дальність:
0...8мм
Довжина відводів:
2м
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
2-провідний NO
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 300В; 8А; 35нс; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 1,25В
Діод: випрямний; SMD; 300В; 8А; 35нс; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 1,25В

129,24 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
300В
Кількість в наборі/упаковці:
50шт.
Недоступний
Резистор: thick film; 43Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 43Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; -55÷155°C

0,95 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 80; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 80; THT; straight

98,20 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,7мм
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD