Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 14А; Idm: 130А; 2,27Вт

Немає в наявності
Код товару: DMN2005UFGQ-13
23,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: DMN2005UFGQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 164нКл
Корпус: PowerDI3333-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 8,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,27Вт
Струм стока: 14А
Струм стоку в імпульсі: 130А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 900В; 7,8А; Idm: 52А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 900В; 7,8А; Idm: 52А; 183Вт

423,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
TO247-3
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

1,95 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; SAI
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; SAI

1279,15 грн

Довжина проводу:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR; ПВХ
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP65; IP67
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.3mm; GKS-422; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.3mm; GKS-422; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
8мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
1,3мм
Конденсатор: танталовий; 2,2мкФ; 10ВDC; SMD; A; 1206; ±10%
Конденсатор: танталовий; 2,2мкФ; 10ВDC; SMD; A; 1206; ±10%

16,47 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
2,2мкФ
Корпус:
A
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 37,4кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 37,4кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,51 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
37,4кОм
Кабель; USB 2.0; Apple Lightning вилка,USB A вилка; 2м; білий; Cu
Кабель; USB 2.0; Apple Lightning вилка,USB A вилка; 2м; білий; Cu

665,86 грн

Будова екрану:
екранований
Вид жили:
Cu
Діаметр жили:
20AWG
Довжина кабелю:
2м
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD