Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1А; Idm: 2А; 0,4Вт; SOT23-3; ESD

Немає в наявності
Код товару: XP223N1001TR-G
4,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10
Крок додавання: 5
Код товару: XP223N1001TR-G
Виробник: TOREX
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23-3
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 10Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,4Вт
Струм стока: 1А
Струм стоку в імпульсі: 2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 1,58МОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 1,58МОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

19,64 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Перемикач: кулачковий; Фікс.поз: 2; 20А; OFF-ON; у корпусі; Поз: 2
Перемикач: кулачковий; Фікс.поз: 2; 20А; OFF-ON; у корпусі; Поз: 2

5716,56 грн

Властивості перемикачів:
блокується навісним замком; фіксується в положенні 0 (OFF)
Допоміжні інтегровані контакти:
NO + NC
Зовнішні розміри:
137x80x130мм
Кількість всіх позицій:
2
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 600МГц; UFBGA169; 1,71÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 600МГц; UFBGA169; 1,71÷3,6ВDC

364,93 грн

Вид архітектури:
Cortex M7
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; LCD controller; PoR; PVD; watchdog
Інтерфейс:
CAN FD; Ethernet; HDMI CEC; I2C; I3C; IrDA; LIN; LPUART; parallel; SAI; SDMMC; SPDIF; SPI; USART; USB
Кількість входів/виходів:
116
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; 3,3мФ; 630ВDC; Ø90x98мм; ±20%; ALS70
Конденсатор: електролітичний; 3,3мФ; 630ВDC; Ø90x98мм; ±20%; ALS70

5937,67 грн

Виводи:
болтове
Висота:
98мм
Властивості конденсаторів:
витримують великі струмові навантаження
Діаметр:
90мм
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷2мм; 10÷30ВDC; IP67; 200мА
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷2мм; 10÷30ВDC; IP67; 200мА

5454,26 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...2мм
Зовнішні розміри:
Ø6,5x30мм
Кількість пін:
3
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 1206

13,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Роз’єм: M8; вилка; гніздовий; промислова; M8 ALTW; прямий; IP67
Роз’єм: M8; вилка; гніздовий; промислова; M8 ALTW; прямий; IP67

462,49 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина проводу:
3м
Електричний монтаж:
проводи
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3