Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,2А; 300мВт; SOT23

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,2А; 300мВт; SOT23
Brand: TAIWAN SEMICONDUCTOR
SKU: TSM2302CX RFG
Price: 33.58 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: TSM2302CX RFG

33,58 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

TSM2302CX RFG

Виробник:

TAIWAN SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка

Заряд затвора:

7,8нКл

Корпус:

SOT23

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±8В

Напруга сток-джерело:

20В

Опір в стані провідності:

65мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

0,3Вт

Струм стока:

3,2А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
150нКл

Корпус:
PowerPAK® SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ

Технологія:
SiC

Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
105нКл

Корпус:
PowerPAK® SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
5,4нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1,3нКл

Корпус:
SOT26; SOT457

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
5нКл

Корпус:
MPT3