Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,4А; 1,1Вт; SOT26

Немає в наявності
Код товару: ZXMN2A03E6TA
60,19 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: ZXMN2A03E6TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT26
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,1Вт
Струм стока: 3,4А
Тип транзистора: N-MOSFET
Антена: комунікаційна; 5G,GSM,LTE; 1,6дБі; лінійна; 50Ом; -40÷90°C
Антена: комунікаційна; 5G,GSM,LTE; 1,6дБі; лінійна; 50Ом; -40÷90°C

641,16 грн

Type of antenna:
communication
Вид антени:
5G; GSM; LTE
Вид кабелю:
RG174
Вид роз’єму:
штекерний
Недоступний
Резистор: thin film; 4,32кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 4,32кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

65,26 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; біполярний; THT; 220мкФ; 25ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; біполярний; THT; 220мкФ; 25ВDC; ±20%

56,39 грн

Вид конденсатора:
біполярний
Висота:
16мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SNAP-IN; 120мкФ; 550ВDC
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SNAP-IN; 120мкФ; 550ВDC

574,63 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
35мм
Діаметр:
30мм
Допуск:
±20%
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний; PIN: 3; прямий; на панель
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний; PIN: 3; прямий; на панель

105,17 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
3
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

0,60 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
12пФ
Резистор: thin film; 475Ом; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 475Ом; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,12А; Idm: 0,765А
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,12А; Idm: 0,765А

2,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,9нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK

76,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK

240,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 4А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 4А; 135Вт; DPAK

103,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,4нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; PG-HDSOP-16; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; PG-HDSOP-16; автомобільна галузь

729,22 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
PG-HDSOP-16
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200мА; Idm: 0,8А; 360мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200мА; Idm: 0,8А; 360мВт

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD