Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,8А; Idm: 25А; 1,2Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: DMG2302UQ-7
7,60 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: DMG2302UQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 4,3нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 45мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,2Вт
Струм стока: 3,8А
Струм стоку в імпульсі: 25А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 84,5Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF
Резистор: thick film; 84,5Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF

1,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 5,49Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 5,49Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В

1,32 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Діод: випрямний; DO205AB,DO9; гвинтовий; 1,25В; 75мкА
Діод: випрямний; DO205AB,DO9; гвинтовий; 1,25В; 75мкА

9249,25 грн

Корпус:
DO9; DO205AB
Монтаж:
гвинтовий
Пряма напруга макс.:
1,25В
Струм витоку:
75мкА
Недоступний
Датчик: ультразвуковий; прямий; Дальність: 30÷250мм; Корпус: M18
Датчик: ультразвуковий; прямий; Дальність: 30÷250мм; Корпус: M18

20563,89 грн

Вид датчика:
прямий
Дальність:
30...250мм
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Резистор: thin film; 86,6кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 86,6кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

1,81 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402

4,43 грн

Alias:
C0402C473K3RAC7867
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А

149,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23