Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3А; 0,5Вт; SuperSOT-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDN339AN
38,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDN339AN
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: logic level
Заряд затвора: 10нКл
Корпус: SuperSOT-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 61мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: 3А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 4; штекерний; промислова; 813; 63В; прямий
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 4; штекерний; промислова; 813; 63В; прямий

720,35 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
0,029м
Електричний монтаж:
THT; паяння
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0201

8,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 200В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 200В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206

11,15 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Ємність:
1нФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; AS; 200В
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; AS; 200В

2,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402

0,27 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 11пФ; 50В; CHA; ±2%; SMD; 0402; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 11пФ; 50В; CHA; ±2%; SMD; 0402; 180мм

0,54 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
CHA
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

0,26 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,6А; Idm: 7,7А; 3,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,6А; Idm: 7,7А; 3,1Вт; SOT223

71,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,2нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 0,375А; 1,5Вт; SC73,SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 0,375А; 1,5Вт; SC73,SOT223

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC73; SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 70В; 3А; 2Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 70В; 3А; 2Вт; SOT223

84,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 20А; 37Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 20А; 37Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,9нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

216,04 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 32А; 11Вт; DFN8; 3x3мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 32А; 11Вт; DFN8; 3x3мм

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
60нКл
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; 164Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; 164Вт; D2PAK

314,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
67нКл
Корпус:
D2PAK