Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: PJA3412-AU_R1_000A1
16,47 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJA3412-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 4,6нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 95мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,25Вт
Струм стока: 4,1А
Струм стоку в імпульсі: 16,4А
Тип транзистора: N-MOSFET
Провід; H07V2-K; тросик; Cu; 6мм2; 10AWG; ПВХ; біло-помаранчевий
Провід; H07V2-K; тросик; Cu; 6мм2; 10AWG; ПВХ; біло-помаранчевий

178,66 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
H07V2-K
Недоступний
Випрямний міст: однофазний; Urmax: 1,6кВ; If: 100А; Ifsm: 890А
Випрямний міст: однофазний; Urmax: 1,6кВ; If: 100А; Ifsm: 890А

3132,29 грн

Виводи:
дріт Ø1,5мм
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
SEMITOP2
Недоступний
Резистор: thin film; 22,1кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73R; 50В
Резистор: thin film; 22,1кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73R; 50В

1,03 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 100кОм; THT; 500мВт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 100кОм; THT; 500мВт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові

55,75 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Резистор: thin film; 383кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; RN73R; 150В
Резистор: thin film; 383кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; RN73R; 150В

2,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Викрутка: прецизійна; шестигранна; HEX 1,5мм; Довж.леза: 60мм
Викрутка: прецизійна; шестигранна; HEX 1,5мм; Довж.леза: 60мм

268,63 грн

Властивості викруток:
ергономічна рукоятка; рукоятка з упором, що оберт-ся; чорнений наконечник леза
Довжина леза:
60мм
Загальна довжина:
157мм
Матеріал стержня:
сталь
Недоступний
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷125°C

0,13 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD