1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: PJA3412_R1_00501
15,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJA3412_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 4,6нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 95мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,25Вт
Струм стока: 4,1А
Струм стоку в імпульсі: 16,4А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 866Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; RK73H; 75В
Резистор: thick film; 866Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; RK73H; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 62пФ; 50В; X8G; ±5%; SMD; 0402; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 62пФ; 50В; X8G; ±5%; SMD; 0402; 330мм

1,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±5%
Недоступний
Набір інструментів: загального застосування; ESD; 6шт.
Набір інструментів: загального застосування; ESD; 6шт.

7690,08 грн

Кількість в наборі/упаковці:
6шт.
Модель:
ESD
Склад комплекту:
пінцет; плоскогубці; стійка
Тип набору інструментів:
загального застосування
Недоступний
Резистор: thick film; 9,1МОм; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; PS; 200В
Резистор: thick film; 9,1МОм; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; PS; 200В

0,86 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Кабель: до датчиків; гніздовий; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код D
Кабель: до датчиків; гніздовий; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код D

844,53 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина проводу:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Недоступний
Резистор: thick film; 22МОм; SMD; 0603; ±5%; 75В; 0,1мм; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22МОм; SMD; 0603; ±5%; 75В; 0,1мм; -55÷155°C

0,68 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 34; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 34; THT; 1.5A; 60V

504,31 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
13,8мм
Довжина відводів:
4мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC89
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
114,6нКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
167нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8

26,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8