Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,2А; 0,5Вт; UF6; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SSM6K403TU,LF(T
11,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3
Код товару: SSM6K403TU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 16,8нКл
Корпус: UF6
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 66мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: 4,2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 309кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 309кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73H; 75В

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0603

3,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Ємність:
0,1нФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1206

5,39 грн

Alias:
KGF31GR72A334KU
Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
FLEXITERM; гнучкі закінчення
Діаметр роліка макс.:
180мм
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 2,5кА; Iвих: 5А; 0,2@max5ВА; 50÷60Гц
Трансформатор: струмовий; Iвх: 2,5кА; Iвих: 5А; 0,2@max5ВА; 50÷60Гц

3667,64 грн

Вихідний струм:
5А
Відповідність стандарту:
BS 3839; EN 60044-1; EN 61869-1
Вхідний струм:
2,5кА
Клас точності:
0,2 @max 5ВА
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 1300мкФ; 35ВDC; Ø16x16,5мм
Конденсатор: електролітичний; SMD; 1300мкФ; 35ВDC; Ø16x16,5мм

86,16 грн

Висота:
16,5мм
Діаметр:
16мм
Ємність:
1,3мФ
Імпеданс:
47мОм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402

5,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 140Ом; ±1%; 3,1x1,6x0,6мм
Резистор: thick film; 140Ом; ±1%; 3,1x1,6x0,6мм

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
3,1x1,6x0,6мм
Опір:
140Ом
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK

171,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8

15,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
28,4нКл
Корпус:
PowerDI3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA

336,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
10,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В