1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,92А; Idm: 30А; 1,16Вт; SO8

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,92А; Idm: 30А; 1,16Вт; SO8
Немає в наявності
Код товару: DMN2041LSD-13
44,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN2041LSD-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 15,6нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 41мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,16Вт
Струм стока: 4,92А
Струм стоку в імпульсі: 30А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,5пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 2,8кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,8кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,31 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 120МГц; LQFP100; 1,71÷3,6ВDC; Cmp: 2
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 120МГц; LQFP100; 1,71÷3,6ВDC; Cmp: 2

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; LCD controller; TRNG; watchdog; операційний підсилювач
Інтерфейс:
CAN; GPIO; I2C; LPUART; PSSI; SAI; SDMMC; SPI; UART; USART; USB
Кількість входів/виходів:
77
Недоступний
Резистор: thick film; 4,42Ом; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,42Ом; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,09 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
4,42Ом
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 1210

43,72 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

1,28 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
Конденсатор: поліестровий; 47нФ; 63ВAC; 100ВDC; 2,5мм; ±10%; MKT
Конденсатор: поліестровий; 47нФ; 63ВAC; 100ВDC; 2,5мм; ±10%; MKT

46,25 грн

Вид матеріалу:
що самогаситься
Вид упаковки:
cтрічка
Властивості конденсаторів:
низька індуктивність
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3