Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4А; 1,8Вт; SC70,SOT323; ESD

Немає в наявності
Код товару: SI1424EDH-T1-GE3
31,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI1424EDH-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 11,5нКл
Корпус: SC70; SOT323
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 33мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,8Вт
Струм стока: 4А
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 30Ом; SMD; 0603; 100мВт,125мВт; ±1%
Резистор: thick film; 30Ом; SMD; 0603; 100мВт,125мВт; ±1%

0,17 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: танталово-полімерний; low ESR; 1000мкФ; 2,5ВDC; SMD
Конденсатор: танталово-полімерний; low ESR; 1000мкФ; 2,5ВDC; SMD

162,19 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Допуск:
±20%
Ємність:
1мФ
Імпеданс:
6мОм
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3Ом; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 4,3Ом; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,45 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Опір:
4,3Ом
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 470мкФ; 6,3ВDC; SMD; D; 2917; ±20%; TPS
Конденсатор: танталовий; 470мкФ; 6,3ВDC; SMD; D; 2917; ±20%; TPS

69,06 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±20%
Ємність:
470мкФ
Корпус:
D
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,1пФ; 50В; CHA; ±0,25%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,1пФ; 50В; CHA; ±0,25%; SMD; 0402

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
CHA
Допуск:
±0,25%
Резистор: thin film; 1,5кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 1,5кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C

15,40 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 5; штекерний; промислова; M12 ALTW; прямий
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 5; штекерний; промислова; M12 ALTW; прямий

273,06 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
5
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3